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Cassification
更新時(shí)間：2024-05-16 
瀏覽次數(shù)：2790我們知道所有并聯(lián)最終我們有個(gè)重要目的，就是流過(guò)并聯(lián)支路的電流盡量都是相等的，特別是在負(fù)溫度系數(shù)的功率器件中更為關(guān)鍵，比如二極管和晶閘管應(yīng)用中。
對(duì)于整流二極管并聯(lián)，為了使電流均勻分布，對(duì)于并聯(lián)的二極管盡可能保證對(duì)稱(chēng)性，包括連接點(diǎn)，線組長(zhǎng)度、，從而保證回路阻抗盡可能相近。
在晶閘管并聯(lián)中，從它被激發(fā)到整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程中，電流的均勻分布是必要的。總體上，我們需要注意以下幾點(diǎn)：
1、主電路阻抗的對(duì)稱(chēng)性。這個(gè)就要求母排或功率銅排結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，大小厚度一直，回路長(zhǎng)度一直。這個(gè)比較容易理解，就是開(kāi)通后要保證不因?yàn)橥獠侩娐穼?dǎo)致電流不均。為了減少電流上升速度，可以考慮扼流圈。
2、熱對(duì)稱(chēng)。盡量保證放到同一個(gè)散熱器上，且放到散熱器的位置能有相同的散熱器溫度，保證Rs-a相同。
3、器件層面。盡量選同批次的晶閘管。從而保證相同的導(dǎo)通壓降，“手指電壓"一致。
4、驅(qū)動(dòng)參數(shù)。強(qiáng)觸發(fā)門(mén)級(jí)電流，一個(gè)是加大晶閘管器件的di/dt能力，另外一個(gè)是縮短兩器件開(kāi)通的時(shí)間。
，參考：功率半導(dǎo)體應(yīng)用手冊(cè)，semikron.
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