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    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4
    北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
    半導體功率模塊
    自動化配件

    • 產品型號:FF600R12KT4
    • 廠商性質:經銷商
    • 更新時間:2024-10-14
    • 訪  問  量:2067
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    詳細介紹

    英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

    北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

    產品參數

     

    FF600R12KE4  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

    帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發射極控制的 7 二極管。

    62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發射極控制第7代二極管。也可提供預涂導熱介質版本。

     

    產品詳細信息

    IGBT 模塊,Infineon

    Infineon 系列 IGBT 模塊提供低切換損耗,用于高達 60 khz 頻率的切換。
    IGBT 跨一系列電源模塊,如 ECONOPACK 封裝,1200V 時帶集電極開路發射器電壓;PrimePACK IGBT 半橋斬波器模塊,其 NTC 高達 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工業、商業、建筑和農業車輛中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模塊適用于硬切換和軟切換應用,例如反相器、UPS 和工業驅動器。

    封裝類型包括:62mm 模塊、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

     
     
     

    IGBT 分立件和模塊,Infineon

    絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

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    產品規格:

    IGBT 類型:溝槽型場截止

    配置:半橋

    電壓 - 集射極擊穿:1200 V

    電流 - 集電極 (Ic):600 A

    電流 - 集電極截止:100 µA

    不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

    輸入:標準

    NTC 熱敏電阻:無

    工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

    安裝類型:底座安裝

    封裝/外殼:模塊

    供應商器件封裝:AG-62MM

    產品特征:

    高功率密度

    的 VCE,SAT

    Tvj op = 175°C 過載

    高爬電距離和電氣間隙

    符合 RoHS 標準

    4 kV AC 1 分鐘絕緣

    CTI > 400 的封裝

    通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

    優勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

    具有更高電流能力的現有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

    高功率密度

    避免 IGBT 模塊并聯

    通過簡化逆變器系統降低系統成本

    靈活性

    高的可靠性

    產品應用領域:

    不間斷電源(UPS)

    儲能系統

    電機控制和驅動

    商用、建筑和農用車輛 (CAV)

    變頻器

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    IGBT是什么?

    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    IGBT與MOSFET的對比

    MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

    優點:熱穩定性好、安全工作區大。

    缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FF600R12KE4

    IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

    特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

    IGBT的典型應用

    電動機

    不間斷電源

    太陽能面板安裝

    電焊機

    電源轉換器與反相器

    電感充電器

    電磁爐

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    第七代IGBT型號:

     

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    FF450R12ME7_ B11

    FF900R12ME7W_ _B11

    FF900R12ME7_ B11

    FF600R12ME7_ B11

    FF800R12KE7

    FF300R12ME7_ B11

    FF750R12ME7_ _B11

    FF750R17ME7D_ B11

    FF225R17ME7_ _B11

    FF1800R23IE7P

    FF1800R23IE7

     

    FF2400RB12IP7P

    FF2400RB12IP7

    F3L400R10W3S7F_ B11

    F3L600R10W4S7F_ C22

    FS3L200R10W3S7F_ B94

    F3L 400R10W3S7_ _B11

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    FP35R12W2T7

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    FP15R12W1T7P

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