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Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
您的位置：首頁(yè) / 產(chǎn)品展示 / IPM智能功率模塊 / 三菱IPM模塊 / CM1800HC-66R供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車(chē)IGBT模塊CMH1200DC-34S
產(chǎn)品型號(hào)：CM1800HC-66R廠(chǎng)商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2024-08-19訪(fǎng) 問(wèn) 量：1557
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供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車(chē)IGBT模塊CMH1200DC-34S
高壓IGBT晶體管模塊CMH1200DC-34S
SiC功率模塊CMH1200DC-34S
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)三菱鐵路機(jī)車(chē)IGBT模塊CMH1200DC-34S
SiC功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品有助于進(jìn)一步提高軌道交通車(chē)輛驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和直流輸電等電力相關(guān)系統(tǒng)逆變器等功率轉(zhuǎn)換設(shè)備的節(jié)能效果和效率，縮小體積。
FMF185DC-66A
FMF375DC-66A
FMF750DC- 66A
FMF750DC-66A-1
CMH600DC-66X
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH400DU-24NFH
CMH600DU-24NFH
CMH400HC6-24NFM
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT與MOSFET的對(duì)比
MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷(xiāo)售IGBT模塊CMH1200DC-34S晶體管
優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱(chēng)絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。
軌道車(chē)輛中廣泛采用IGBT模塊構(gòu)成牽引變流器以及輔助電源系統(tǒng)的恒壓恒頻（CVCF）逆變器。國(guó)外的地鐵或輕軌車(chē)輛輔助系統(tǒng)都采用方案多樣的IGBT器件。
動(dòng)車(chē)組中，主變流器的開(kāi)關(guān)使用耐壓高達(dá)6500V／600A的IGBT器件，輔助變流器采用開(kāi)關(guān)頻率為1950Hz的PWM技術(shù)，由3臺(tái)雙IGBT和相關(guān)反并聯(lián)二極管組成，每臺(tái)雙IGBT組成三相中的一相
CM800HA-34H
CM2400HC-34N
CM800HB-50H
CM1200HG-66H
CM900HG-90H
CM1200DB-34N
CM800HA-50H
CM1200HC-50H
CM1800HC-66R
CM200HG-130H
CM1800HC-34H
CM1200HB-66H
CM800E6C-66H
CM600HG-90H
CM400HG-130H
CM1800HC-34N
CM1200HC-66H
CM1200HA-66H
CM800HG-90R
CM750HG-130R
X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優(yōu)勢(shì)，IGBT采用了CSTBT (III)（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）芯片技術(shù)，續(xù)流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結(jié)構(gòu)。這兩種芯片技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)通態(tài)損耗、開(kāi)關(guān)損耗的降低和增強(qiáng)的開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)擴(kuò)展了魯棒性、低損耗和SOA這三項(xiàng)技術(shù)邊界。其飽和壓降和反并聯(lián)二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司
對(duì)于動(dòng)車(chē)組，推薦的HVIGBT型號(hào)如下：
對(duì)于地鐵或輕軌，推薦的HVIGBT型號(hào)如下
| 產(chǎn)品屬性 | 屬性值 | |
|---|---|---|
| Misubsh Elecric | ||
| IGBT 模塊 | ||
| 供應(yīng)商： | 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司 | |
| RoHS: | N | |
| IGBT Silicon Modules | ||
| Triple | ||
| 1700 V | ||
| 3.45 V | ||
| 800 A | ||
| 0.5 uA | ||
| 11300 W | ||
| Module | ||
| - 40 C | ||
| + 125 C | ||
| Bulk | ||
| 商標(biāo): | Misubih Electc | |
| 柵極/發(fā)射極電壓: | 20 V | |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | |
| 產(chǎn)品類(lèi)型: | IGBT Modules | |
| 系列: | CMH1200DC-34S | |
| 2 | ||
| 子類(lèi)別: | IGBTs | |
| 技術(shù): | Si |
CPPP
M1200HC-50H除了IGBT外， 該模塊還包括集成式(集成的)門(mén)驅(qū)動(dòng)電路，以及檢測(cè)和防止過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱和門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓不足(門(mén)極驅(qū)動(dòng)欠壓)等故障的電路。
電力機(jī)車(chē)牽引的兩電平變頻器IPM模塊PM1200HCE330-1
HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進(jìn)一步發(fā)揮IGBT芯片的性能，采用的驅(qū)動(dòng)電路，是將自我保護(hù)（過(guò)電流、控制電源電壓降低、過(guò)熱）功能等實(shí)現(xiàn)IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節(jié)能化貢獻(xiàn)力量，作為IPM，產(chǎn)品陣容中的zui大額定值達(dá)到3.3kV/1.2kA北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)IGBT模塊CMH1200DC-34S
PM1200HCE330-1主要用途變換器裝置 / 換流器裝置 / DC斬波器裝置
CM900HC-90H 203
CM900HC-90H 204
CM900HB-90H
CM900HG-90H
CM1200HC-66H
CM1200HB-66H 209
CM1200HG-90R
MG900GXH1US53
CM750HG-130R
CM600HG-130H
DTR0000205475/H
FZ1500R33HE3
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動(dòng)模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷(xiāo)、經(jīng)銷(xiāo) 、直銷(xiāo)及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷(xiāo)售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售國(guó)內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷(xiāo)德國(guó)Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、
SIEMENS西門(mén)子、西門(mén)康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達(dá)NIEC，美國(guó)IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；
英國(guó)西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達(dá)林頓、整流橋、二極管、場(chǎng)效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法國(guó)羅蘭（FERRAZ）、英國(guó)GOULD、美國(guó)BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德國(guó)伊凱基ELECTRONICON，法國(guó)湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國(guó)BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國(guó)CDE無(wú)感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動(dòng)、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動(dòng)板，電源板，通信板，接口板
操作面板
CM800DZ-34H
CM2400HC-34N
CM800HC-66H
CM1500HC-66R
CM1000HC-66R
DD600N16K-A
5SNA 1200E330100
CM1200HG-66H
FZ1200R33KL2C_B5
ST1200FXF22
CM900HB-90H
MG900GXH1US53
CM750HG-130R
CM1200HG-90R
T0900EA45A
5SNA 0600G650100
CM400HG-130H
CM600HG-130H
CM400HG-130H
CM750HG-130R
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