英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅 晶閘管 電容

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

銷售國內外電力電子器件和功率模塊；主要經銷德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

• 優點：熱穩定性好、安全工作區大。

• 缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

• 特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

• 電動機

• 不間斷電源

• 太陽能面板安裝

• 電焊機

• 電源轉換器與反相器

• 電感充電器

• 電磁爐