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    賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

    賽米控IGBT模塊SKM400GB176D
    北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊電容

    • 產品型號:SKM300GB176D
    • 廠商性質:經銷商
    • 更新時間:2023-12-12
    • 訪  問  量:1797
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    詳細介紹

    賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

    SEMIPACK系列產品包括晶閘管,整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊。由于這些年來各式各樣的修改,SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的可靠性的家簇,有著廣泛的輸出電流,從15A到1200A,電壓等級從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應電機的軟啟動,晶體化AC電機控制器的線性整流,DC電機控制以及電源,溫度控制



    北京京誠宏泰科技有限公司銷售賽米控IGBT模塊SKM400GB176D

    IGBT

    IGBT是什么?

    IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    IGBT與MOSFET的對比

    MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

    • 優點:熱穩定性好、安全工作區大。

    • 缺點:擊穿電壓低,工作電流小。

    IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

    • 特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

    IGBT的典型應用

    • 電動機

    • 不間斷電源

    • 太陽能面板安裝

    • 電焊機

    • 電源轉換器與反相器

    • 電感充電器

    • 電磁爐


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    德國 SEMIKRON 賽米控IGBT模塊1200V/1700V系列:
    SKM50GB123DSKM75GB123DSKM75GB124DSKM75GB128D
    SKM40GAH123DSKM100GB123DSKM100GB124DSKM145GB123D
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    SKM600GB126DSKM600GAL126DSKM22GAL123DSKM50GAL123D
    SKM75GAL123DSKM100GAL123DSKM100GA121DSKM145GAL123D
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    SKM200GAL123DSKM200GAL125DSKM200GAH123DKLSKM200GAL123DKLD1
    SKM300GAL123DSKM400GAL124DSKM400GAL125DSKM100GAL173D
    SKM145GAL174DNSKM200GAL173DSKM200GAR173DSKM75GAR123D
    SKM100GAR123DSKM145GAR123DSKM150GAR123DSKM150GAR12T4
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    SKM195GM063DNSKM300GB12T4




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