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    產(chǎn)品展示/ Product display
    
        
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    英飛凌IGBT模塊FZ3600R17KE3大功率IGBT
    
            
            
    
              
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
    
            
    
            
      
              
    • 產(chǎn)品型號(hào)：FZ3600R17KE3
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    • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商
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    • 更新時(shí)間：2024-01-19
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    • 訪  問(wèn)  量：3876
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    1700V IHM 190mm single switch IGBT Module with IGBT3 
    集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO:    1700 V    
    在25 C的連續(xù)集電極電流:    4800 A    
    zui大工作溫度:    + 125 C    
    封裝 / 箱體:    IHM190    
    柵極/發(fā)射極zui大電壓:    +/- 20 V    
    zui小工作溫度:    - 40 C
     
    FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
    FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
    FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
    FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
    FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
    FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
    FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
    FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
    FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
    FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
    FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
    FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C
     
    
        
    
        
    
          
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                請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫(xiě)阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7
            
      
		
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