IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售日立IGBT模塊MBN1200E17D

VCES=1700V  ; IC=1200A

Silicon N-channel IGBT

∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode. 
∗ High reliability, high durability module. 
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles) 
∗ Isolated heat sink (terminal to base).

∗ High speed, low loss IGBT module. 
∗ Low driving power due to low input  capacitance MOS gate. 

日立IGBT模塊型號(hào)：

MBN200GS6AW、

MBN325A18、

MBN300GS6AW、

MBN1800D17、

MBN400GS6AW、

MBN200GS12AW、

MBN300GS12AW（BW）、

MBN400GS（NS）12AW（BW）、

MBN600GS（NS）12AW（BW）、

MBN800GS12AW（BW）、

MBN1000QS12AW（BW）、

MBN1000JS12AW、

MBN800GR17、

MBN1200GS（NS）12AW、

MBN325C20、

MBN400C20、

MBN500C20、

MBN600C20、

MBN600C33A、

MBN1200D25AW（B）、

MBN400D33、

MBN600D33、

MBN1200D33AW、

MBM100AS6、

MBM150GS6AW、

MBM200GS6AW、

MBM200BS6、

MBM200HS6A（6G）、

MBM300GS6AW、

MBM300HR6HY、

MBM300HS6B（6H）、

MBM400GS（JS）6AW、

MBM400HS6A、

MBM600GS6CW、

MBM75GS12A、

MBM100GS12A、

MBM150GS12AW（EBW）、

MBM200GS12AW（EBW）、

MBM200JS12AW、

MBM300GS（NS）12AW、

MBM400QS12AW、

MBM600QS12AW、

MBM300HT12、

MBM150HT12、

MBB100AS6、

MBB75GS12A、

MBB100GS12A。